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时间：2021-12-01 预览：979
研究人员认为，这种AlGaN纳米阵列结构可以克服铝含量高的AlGaN中水平方向光传输的负面影响，横向磁（TM）偏振效应使光沿平面传输，抑制激发光子的增加。根据研究人员的估计，纳米阵列结构可以将光提取能力提高至少70%。
为了准确地生长纳米阵列晶体，研究人员使用了选择性区域外延生长技术。选择性生长基于在C 面GaN 基蓝宝石衬底上的分子束外延生长技术(MBE)。模具表面氮化后，GaN 纳米阵列衬底在995C 开始生长，而顶部的AlGaN 在935-1025C 继续生长。在纳米阵列的顶部使用了富铝处理。研究人员使用光致发光(PL) 曲线进行测量，不同共享的AlGaN 光谱在210-327 nm 范围内。对于280nm 深紫外LED，纳米阵列由300nm n型GaN、80nm n 型Al0.64Ga0.36N、未掺杂的Al0.48Ga0.52N 和60nm p 型Al0.64Ga0.36N 组成。该结构的光致发光光谱为283 nm，总线宽为11 nm。比较不同温度下的PL 曲线，室温下的内量子功率(IQE) 约为45%。
50 x 50 m2 器件的开路电压为4.4 V、5 V 时的电流密度为100 A/cm2。这一特性远高于传统的量子阱AlGaN LED。当波长为279 nm 时，随着279.6 nm (50 A/cm2) 至278.9 nm (252 A/cm2) 范围内的电流的增加，会出现轻微的蓝移。
研究人员共同估计总输出功率为0.93W/cm2，电流密度达到252A/cm2。然而，在这些条件下，要实现10%的发光效率目标还有很长的路要走。
理论上，可以通过优化纳米阵列的尺寸和距离来优化整体输出，以提高光提取能力。隧道结和其他结构也可用于有效增强设备的功能。
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